器系统：偏轴打拿极高能电子倍增检测器3.5.4真空系统：带有差动抽气真空系统，由独立的分子涡轮泵和大抽速的前级机械泵组成；具有自动断电保护功能。3.5.5扫描方式：全扫描、选择性离子监测3.5.6检测性能:*3.5.6.1质量范围：母离子单电荷 m/z 10 - 2,000*3.5.6.2最大扫描速
器系统：偏轴打拿极高能电子倍增检测器3.5.4真空系统：带有差动抽气真空系统，由独立的分子涡轮泵和大抽速的前级机械泵组成；具有自动断电保护功能。3.5.5扫描方式：全扫描、选择性离子监测3.5.6检测性能:*3.5.6.1质量范围：母离子单电荷 m/z 2 - 2,000*3.5.6.2最大扫描速率
谱仪1套是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术，材料表面原子受激发射出具有元素特征的俄歇电子65.00三、供应商资格要求：1.注册于中华人民共和国境内，具有独立承担民事责任能力的法人或其他组织。2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度。3.具有履行合同所必需的设备和专业技术能力。4.有依法缴纳
ger)是一种利用高能电子束为激发源的表面分析技术，材料表面原子受激发射出具有元素特征的俄歇电子。其原理为：入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量，可以传递给核外另一电子，使其激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。对于一个原子来说，激发态原子在释放
制单元。（6）反射高能电子衍射仪：1套，具有远程控制功能，通过远程控制可实现聚焦，电子束偏转以及电子闸门。溅射沉积室：3英寸靶材超高真空磁控溅射靶枪3套，1英寸1200 oC氧气加热器1套。2.5 MBE源炉安装方位：（1）金属源炉和射频原子源到衬底距离为190mm，与中垂线夹角为38°，源炉在真空
3.2.5检测器：高能电子倍增器或光电倍增器3.2.6真空系统：260L/sec以上涡轮分子泵差动排气系统3.2.7质量稳定性：±0.10amu/48h3.2.8灵敏度：EI源SCAN模式:1pg八氟萘，S/N≥100：1EI源SIM模式: 20fg八氟萘，S/N≥10：1PCI源SCAN模式: 1
京公网安备 11010802022993号
